[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200380102419.8 | 申请日： | 2003-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1708864A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·克嫩坎普 | 申请（专利权）人： | 哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管，其中在源极触点及漏极触点之间设有至少一个垂直定向的、其直径在纳米范围上的半导体柱，在保持一个绝缘距离的情况下该半导体柱被栅极触点环形地包围。本发明提出一种简化的制造方法。所制造的晶体管被这样地构成：半导体柱(2)被埋在第一及第二绝缘层(3，5)中，在这些绝缘层之间设有一个作为栅极触点的、向外导出的金属层(4)，该金属层的向上穿过第二绝缘层(5)露出的端部被部分地转换成绝缘体(6)或部分地被去除及通过绝缘材料填充。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.场效应晶体管，其中在一个源极触点及一个漏极触点(1，7)之间有至少一个垂直定向的、其直径在纳米范围上的半导体柱(2)，在保持一个绝缘距离的情况下该半导体柱被一个栅极触点环形地包围，其特征在于：该半导体柱(2)被埋在一个第一及一个第二绝缘层(3，5)中，在这些绝缘层之间有一个作为栅极触点的、向外导出的金属层(4)，该金属层的向上穿过该第二绝缘层(5)露出的端部被部分地转换成绝缘体(6)或部分地被去除并通过绝缘材料填充。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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