[发明专利]用铜制造高电容量电容器的方法及其结构

摘要

本发明公开了用铜制造高电容量MIM电容器的方法及其结构。一种改进的包括衬底的半导体集成电路器件结构。衬底上覆盖一定厚度的第一绝缘材料。电容器区域位于一定厚度的第一绝缘材料内，并从其下表面延伸到上表面。电容器具有从下表面延伸到上表面的宽度。该结构包括至少在电容器区域覆盖衬底的接触区域。下电容器极板由多个垂直金属结构形成。每一个垂直金属结构都具有宽度和高度，都沿着每个垂直金属结构的高度基本相互平行。阻挡金属层覆盖每个垂直金属结构的暴露表面。电容器电介质层覆盖垂直金属结构上的阻挡层的每个暴露表面。用金属材料在覆盖电容器电介质层的电容器区域内形成上电容器极板。

主权项

1.一种用于制造包括电容器结构的集成电路器件的方法，此方法包括：提供一个衬底，包括覆盖的一定厚度的第一绝缘材料；在第一层绝缘材料的一定厚度与电介质材料区域内形成多个开口，每一开口具有一定的宽度与高度；形成覆盖多个开口中的每一个的暴露表面的阻挡层；用金属层填充每一个开口，金属层基本占有每个开口的整个区域，以形成多个金属结构，每一金属结构具有一定的宽度和高度；平坦化金属层表面；在所述区域上制作图案，暴露每个金属结构，以暴露覆盖每个金属结构的阻挡层；形成覆盖每一个暴露的阻挡层结构的绝缘层；和形成第二金属层，它覆盖在覆盖阻挡层结构的电容器绝缘层上，从而每一金属层结构、覆盖的电容器绝缘层以及第二金属层形成一个电容器结构；和平坦化第二金属层。