[发明专利]制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅的方法

摘要

本发明公开了属于核反应材料制造技术领域的一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层碳化硅的方法。该方法首先把聚碳硅烷(PCS)溶液涂覆在基体表面，在溶剂挥发后在基体表面获得PCS涂层；将上述制备了PCS涂层的样品在含有Si的保护气体中进行高温裂解，通过独立调节裂解温度和裂解气氛来控制硅烷的含量来实现碳化硅的碳/硅比，在裂解气氛中加入含有硅组分的气体，可以使PCS在裂解的过程中与含有硅组分的气体反应来避免制备的SiC中的游离碳，且不降低陶瓷产率。此方法可以在一定温度范围内的任意温度通过控制裂解气氛中含有硅组分的气体的含量来改变制备的碳化硅的碳/硅比，裂解温度和裂解气氛组成可以独立控制。

主权项

1.一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1).首先把聚碳硅烷浓度为10-30wt％聚碳硅烷的二甲苯溶液涂覆在石墨基体表面，待溶剂挥发后在基体表面获得厚度为0.5-2.0μm的PCS涂层；2).将上述有PCS涂层的样品放在流量为100-1000ml/min的含有硅组分的气体与Ar或H2的混合气体的保护反应炉中，在1000℃～1300℃处理温度下进行高温裂解1-5小时，通过独立控制裂解温度和裂解气氛中含有硅组分的气体含量来实现控制制备的碳化硅涂层的碳/硅比，其碳/硅质量比为0.6-4.2。