[发明专利]具有对准子系统的光刻装置，使用对准的器件制造方法以及对准结构有效
| 申请号： | 200310121700.8 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1510519A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | L·M·勒瓦斯尔;A·J·登博夫;I·迪恩斯托弗;A·B·约宁克;S·G·克鲁斯维克;H·P·M·佩勒曼斯;I·D·塞特杰;H·P·T·托斯马 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 黄力行 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻装置，包括用于相对构图部件(MA)对准基底台(WT)上基底(W)的对准子系统(21)。该对准结构(10)包括可检测为捕获位置或检验位置的非周期特征(15)，使用对准子系统(21)中的参考光栅(26)。非周期特征(15)可能会在对准子系统(21)的检测信号中产生相位效果，或者产生幅值效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 子系统 光刻 装置 使用 器件 制造 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光刻装置，包括：-用于支撑构图部件(MA)的支撑结构(MT)，该构图部件用于按照所需图案将投影光束图案化；-用于支撑其上具有对准结构(10)的基底(W)的基底台(WT)，该对准结构(10)具有空间周期性光学性质；以及-用于相对构图部件(MA)对准基底台(WT)上的基底(W)的对准子系统(21)，该对准子系统(21)包括：-光学装置(20，24，26)，对对准结构(10)反射或透射的光进行光学处理，产生强度随空间周期对准结构(10)的相对位置和相对构图部件(MA)定义的参考位置而变化的测量光；-与光学干涉结构相连、用于测量测量光强度和/或相位信息的探测器，-致动器(PW)，用于根据测量光的强度和/或相位信息控制基底台(WT)和构图部件(MA)的相对位置，其特征在于：该对准子系统(21)还设计成使用对准结构上具有的非周期特征(15)，其中该特征可检测为一捕获位置或检验位置。
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