[发明专利]形成介电层之间黏着力的方法与结构有效
| 申请号： | 200310119946.1 | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1622291A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴欣昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一形成介电层的间黏着力的方法，包含形成第一介电层以及形成第二介电层，其中形成第二介电层包含形成第一部分以及形成第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原处(in－situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(area ratio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced－inter－adhesion)的介电层结构，包含第一介电层，以及第二介电层有第一部分位于第一介电层的上以及第二部分位于第一部分之上，其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分的介电系数。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电层 之间 黏着 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成介电层的间黏着力的方法，包含：提供第一介电层；以及原处形成第二介电层，其具有第一部分位于该第一介电层上以及第二部分位于该第一部分上，其中该第一部分具有高于该第二部分的第一介电系数。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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