[发明专利]离子注入机无效
| 申请号： | 200310115894.0 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1547240A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 付国柱;邵喜斌;荆海;廖燕平;高文涛;史辉琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制作技术领域，是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室，抽气装置，气路部分，电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接，向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空室连接，利用真空泵使真空室保持一定的真空度。电控制器连接所有的用电部件，作为本发明的电源。本发明采取离子通量注入的方式，省去了现有技术中质量分析系统、离子束聚焦和扫描系统，因此结构简单，而且可以大面积的离子注入。在抽气装置上增加大排量机械泵，使本发明可以用作化学气相淀积PECVD和等离子刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机包含有真空室(15)、抽气装置(5)、气路部分、电控制器，其特征是气路部分通过配气截止阀(13)同真空室(15)连接，向真空室运送气态离子；抽气装置(5)通过角阀(17)和闸板阀(18)同真空室(15)连接，利用真空泵使真空室(15)保持一定的真空度；电控制器连接所有的用电部件，作为本实用新型的的电源；玻璃基板(4)在接地电极(9)的下方，基板衬底采用5路电阻丝加热，保证温度均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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