[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种生产半导体器件的方法。根据预定的图形，凹陷和沟槽被形成在导电衬底的主表面上，以便确定被凹陷和沟槽环绕的多个小区，且各由一个或多个凹陷和多个小区形成的多个产品制作部分。然后，将半导体元件的背面经由粘合剂固定到各个产品制作部分的凹下的底部上，形成在半导体元件上的电极以及各个小区则经由金属丝被彼此连接，在衬底主表面上形成绝缘树脂，以便覆盖半导体元件和金属丝，然后清除衬底背面的预定厚度，从而使各个小区能够各自独立地电绝缘，并使粘合剂能够被暴露，镀层膜被形成在暴露于树脂层表面的小区的表面上，并沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个薄的无引线型半导体器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包含下列步骤：(a)提供衬底，此衬底包含：具有主表面和背面的金属片；多个产品制作部分；形成在各个产品制作部分中的金属片主表面上的凹陷和小区；以及形成在金属片主表面上以环绕小区的沟槽；(b)在步骤(a)之后，通过粘合剂将半导体元件固定到各个产品制作部分中的凹陷底部；(c)在步骤(b)之后，经由导电丝彼此电连接半导体元件的表面和小区的表面；(d)在步骤(c)之后，在衬底主表面上形成绝缘树脂层，使得包括各个产品制作部分的边界部分，并覆盖半导体元件和导电丝；(e)在步骤(d)之后，去除预定厚度的金属片背面，从而使各个小区彼此独立地电隔离，并使粘合剂暴露；以及(f)在步骤(e)之后，沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个半导体器件。