[发明专利]一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺无效
| 申请号： | 200310108276.3 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1540724A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 栅氧化硅层的制备工艺是集成电路制造工艺中的关键工艺技术。在常规栅氧化硅中掺入少量的氮元素可以改善栅氧化硅的特性。本发明利用快速退火炉(RTO)能够很精确地控制元素扩散的特性，用多步氧化、退火(扩散)的方法，一层一层地生长所需要的氧化硅，控制薄栅氧化硅层的厚度和氮元素在栅氧层中的分布。由此方法制备的薄栅氧化硅既可有效解决硼(B)穿透问题，增强薄栅氧层的可靠性、减低其漏电流，又不会对沟道载流子的迁移率产生明显影响，因而是一种可应用于深亚微米集成电路的理想的薄栅氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 含氮栅 氧化 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构，其特征在于，生长完成的含氮氧化硅总厚 度为10到50，氮元素在此氧化硅中的分布为：浓度峰值在离氧化硅表面3到10 处，同时在离硅表面3到10处也有一个浓度峰分布，栅氧中总的氮原子含量为0.5％ 到3％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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