[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200310103809.9 | 申请日: | 2003-11-06 |
公开(公告)号: | CN1499275A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | 宋寅德;秦教源 | 申请(专利权)人: | LG.飞利浦LCD有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1345;G03F7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公布了一种LCD设备的阵列基板,包括;排列在基板上的多条选通线、与选通线相交从而形成多个像素区域的多条数据线;位于选通线和数据线交点处的薄膜晶体管;以及位于各个像素区域中的像素电极,其中,该阵列基板还包括存储电容器,其包括与数据线相交、与选通线平行并与选通线处于同一层的下存储基板,以及通过衍射图案而形成的半导体层,所述半导体层介于下存储电极和像素电极之间。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种LCD设备的阵列基板,包括:排列在基板上的多条选通线、与选通线相交从而形成多个像素区域的多条数据线;薄膜晶体管,位于选通线和数据线的交点处;以及像素电极,位于各个像素区域中,其中,该阵列基板还包括存储电容器,其包括:下存储基板,其与数据线相交,与选通线平行并与选通线处于同一层;以及通过衍射图案而形成的半导体层,所述半导体层介于下存储电极和像素电极之间。
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