[发明专利]陶瓷生片的孔加工方法无效
| 申请号： | 200310101496.3 | 申请日： | 2003-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1498067A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 齐藤隆一;三田伦久;佐伯英史;胜村英则 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种陶瓷生片的孔加工方法，向陶瓷生片(3)上照射功率的最小值大于最大值的60％的高峰值短脉冲型激光，形成孔。由此，陶瓷生片的材料就不会部分熔融并残留附着在孔的周围。这种在陶瓷生片上形成孔的方法，在层压生片并烧结后，在孔中形成的转接电极的周围不会产生结构上的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在陶瓷生片上形成孔的方法，其特征在于：具备准备陶瓷生片的工序；以及向上述陶瓷生片的第1面照射功率的最小值是最大值60％以上的略呈矩形的脉冲激光的工序。
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