[发明专利]批式处理装置及晶片处理方法有效
| 申请号： | 200310101097.7 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1607644A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林焕顺 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种批式处理装置及晶片处理方法，该批式处理装置至少包括：一晶舟，该晶舟的一第一端部至一第二端部之间具有多个晶片插槽，且此些晶片插槽使配置于其中的晶片以晶片表面互相平行，其中此些晶片插槽的间距由晶舟的第一端部朝向第二端部逐渐增加；和一气体入口，其中该气体入口由该第一端部朝向该第二端部提供一气体，以使该气体与该些晶片反应。此晶舟能够配置于一垂直式热炉管中，其中第一端部配置于底部，第二端部则位于顶部。使用具有此晶舟的垂直式热炉管进行晶片处理工艺时，能够缩小同一批处理的晶片的电性差异，以及沉积薄膜的特性差异。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种批式处理装置，至少包括：一晶舟，该晶舟的一第一端部至一第二端部之间具有多个晶片插槽，且该些晶片插槽使配置于其中的多个晶片以该些晶片的表面互相平行；以及一气体入口，其中该气体入口由该第一端部朝向该第二端部提供一气体，以使该气体与该些晶片反应，其中该些晶片插槽的间距由该晶舟的该第一端部朝向该第二端部逐渐增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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