[其他]功率半导体器件的电极引出技术在审
| 申请号： | 101986000009631 | 申请日： | 1986-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1003548B | 公开（公告）日： | 1989-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吕征宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 陈桢祥 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明通过制作一组导电、绝缘薄膜，对半导体器件芯片表面电极进行有选择的电镀，并在电镀层上加金属压块或焊接引线，从而构成完整的主电极引出工艺。本发明能满足可关断晶闸管（ＧＴＯ）一类器件精细的多个弧立主电极的并联引出要求，也可同样方便地用于巨型晶体管（ＧＴＲ）、门极辅助关断晶闸管（ＧＡＴＴ）等一般功率半导体器件的制造工艺。本发明可采用平面工艺，允许有较高集成度，使用设备简单、成本低廉、可靠性好，并适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 电极 引出 技术 | ||
【主权项】：
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