[其他]“晶体管-晶体管逻辑到互补型金属-氧化物-半导体”的输入缓冲器在审
| 申请号： | 101986000003513 | 申请日： | 1986-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1005674B | 公开（公告）日： | 1989-11-01 |
| 发明（设计）人： | 霍瓦德·克雷顿·基施 | 申请（专利权）人： | 美国电话电报公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陆丽英 |
| 地址： | 美国.纽约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种ＴＴＬ到ＣＭＯＳ输入缓冲器，当ＴＩＬ输入信号是相当低的逻辑１时，该缓冲器能阻止静态电流流过。突变检测器对ＴＴＬ逻辑输入信号起作用，连通在正电源ＶＤＤ和ＣＭＯＳ第一变换器（３０）的输入端之间的电压提升电路，检测输入信号从“０”到“１”的突变，并把ＴＴＬ逻辑１信号提升到能阻止ＣＭＯＳ变换器中的Ｐ沟道晶件管（３２）导通的电平。然后，电压提升电路与此管的输入端断开，使此输入端不被正电流充电。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
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