[其他]高抗干扰HP-MOS系列集成电路在审
| 申请号： | 101985000002308 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102308B | 公开（公告）日： | 1988-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宁震寰 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 河南省专利代理中心 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为降低工业电子装置在抗干扰措施上的费用，我们研究了脉冲数字电路的抗干扰理论，提出了动态噪声容限指标，证明了高速器件不适用于干扰强速度低的场合，设计了ＨＰ－ＭＯＳ系列集成电路，其静态噪声容限接近理想值，优于Ｃ－ＭＯＳ、ＨＴＬ的抗干扰性能，外接适当电容，其抗干扰性能可与继电器相当。它可广泛用于工业控制电子装置与微型机的接口电路中，使这些装置的造价降低、可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 抗干扰 hp mos 系列 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州大学，未经郑州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101985000002308/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：行波储能消振器
- 下一篇：用于导出含在输入视频信号中的同步信号的电路
- 同类专利
- 专利分类
