[其他]高抗干扰HP-MOS系列集成电路在审
| 申请号： | 101985000002308 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102308B | 公开（公告）日： | 1988-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宁震寰 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 河南省专利代理中心 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗干扰 hp mos 系列 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1、HP-MOS系列集成电路的特征是：在负24V±4V电源下，其高抗干扰端噪声容限10V≤△VN≤14V，并可外接电容调节动态噪声容限△T的大小，tr，tf并不增大，且△TH＝△TL，即在相同频率下，△TN接近最大值，可以方便的与C-MOS、LS-TTL、LH-DTL等集成电路直接连接使用的高抗干扰的E/DP-MOS集成电路。
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