[发明专利]自对准存储元件及字线有效
| 申请号： | 03825582.0 | 申请日： | 2003-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1714462A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | P·K·张;A·M·卡图里 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种有机聚合物存储单元，其具有形成在第一导电(例如，铜)层(例如，位线)(104、108)上的有机聚合物层(116、2108、2132、2168)以及电极层(120、2112、2128、2164)。此存储单元连接至第二导电层(例如，形成字线)(136、2148、2160)，并且更具体地是存储单元的电极层顶部连接至第二导电层。选择性地，在导电层上形成传导率促进层(112、2136)。以介电材料隔开存储单元。此存储单元与形成在第一导电层内的位线以及形成在第二导电层内的字线自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种有机存储器件，其包括：作为位线(108、132)的第一导电层(104、108)；在该第一导电层(104、108)的至少一部分上覆盖的有机聚合物层(116、2108、2132、2168)；在该有机聚合物层(116、2108、2132、2168)上覆盖的电极层(120、2112、2128、2164)；作为字线(148、204、2148)的第二导电层(136、2148、2160)；以及包围该有机聚合物层(116、2108、2132、2168)和该电极层(120、2112、2128、2164)的至少一部分的介电材料(134、152、2144、2172)，在施加和蚀刻该第二导电层(136、2148、2160)之后施加的至少部分的该介电材料(134、152、2144、2172)，该第二导电层(136、2148、2160)的蚀刻有利于有机存储器件的自对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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