[发明专利]垂直磁性记录介质无效
| 申请号： | 03824259.1 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1689078A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 稻村良作;竹下弘人;杉本利夫;下田一正;大岛武典;前田麻贵;涡卷拓也;田中厚志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/738;G11B5/66;G11B5/667 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 磁性 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.垂直磁性记录介质，包含：磁性取向控制层，包括互相毗邻的晶粒，所述磁性取向控制层用作用于控制上层中晶向的层；非磁性取向控制层，在磁性取向控制层表面上延伸，包括互相毗邻的晶粒，所述非磁性取向控制层用作用于控制上层中晶向的层；以及磁性记录层，在非磁性取向控制层表面上延伸，包括从非磁性取向控制层中的晶粒生长得到的晶粒。
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