[发明专利]利用固定温度的卡盘以可变温度的工艺加热衬底的方法无效
| 申请号： | 03821363.X | 申请日： | 2003-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1682350A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | G·考科斯 | 申请（专利权）人： | 亚舍立技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用热卡盘在处理室内加热衬底的方法。根据所述方法，将所述衬底降到所述的卡盘上，并加热到低于所述卡盘的温度的第一温度。然后升高所述衬底，使其离开所述卡盘，对所述衬底进行处理，此时，所述衬底被支撑在所述卡盘的上方。然后将所述衬底降回到所述卡盘，加热到大于所述第一温度的第二温度以进一步对衬底进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 固定 温度 卡盘 可变 工艺 加热 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在处理室内利用热卡盘加热衬底的方法，包括：将所述衬底降到所述卡盘上；将所述衬底加热到低于所述卡盘的温度的第一温度；升高所述衬底，使其离开所述卡盘，此时，所述衬底的温度为所述第一温度；对所述衬底进行处理，此时，所述衬底被升高离开所述卡盘；将所述衬底降回到所述卡盘上；将所述衬底加热到大于所述第一温度的第二温度；和将所述衬底加热到所述第二温度后，进一步对所述衬底进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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