[发明专利]差分浮栅非挥发性存储器无效

专利信息
申请号: 03820492.4 申请日: 2003-07-03
公开(公告)号: CN1679110A 公开(公告)日: 2005-10-05
发明(设计)人: 查德·A·林霍斯特;克里斯托弗·J·迪奥里奥;特洛伊·N·吉利兰;阿尔贝托·佩萨文托;沙伊尔·斯利尼瓦斯;马彦军;特里·哈斯;卡姆比兹·拉希米 申请(专利权)人: 伊皮杰有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C16/28
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方;刘国伟
地址: 美国华*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及利用差分pFET浮栅晶体管来存储信息的差分浮栅非挥发性存储器和存储器阵列的若干设计。本发明也提供建构所述存储器和存储器阵列的方法以及与所述存储器和存储器阵列有关的操作和测试方法。
搜索关键词: 差分浮栅非 挥发性 存储器
【主权项】:
1.一种差分非挥发性浮栅存储器,其包含:一个具有一个第一浮栅的第一pFET浮栅晶体管;一个具有一个第二浮栅的第二pFET浮栅晶体管;和一个经耦合以接收来自所述第一pFET浮栅晶体管和所述第二pFET浮栅晶体管的电流的差分读出放大器。
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