[发明专利]磁光记录介质和磁光记录装置无效
| 申请号： | 03819920.3 | 申请日： | 2003-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1679100A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 细川哲夫 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁光记录介质，至少由相位凹坑基板/电介质层/记录层/电介质层/反射层构成，可以同时再生ROM和RAM。该相位凹坑的形状被构造为5＜100×Ip/Im＜22，其中，Im和Ip分别是照射偏振方向水平于该介质的轨道方向的再生光时，在镜面上的反射电平以及最短标记的相位凹坑信号强度电平。由于可以把磁光记录/再生信号和相位凹坑信号的抖动抑制在最佳的范围内，因此可以提高同时再生ROM和RAM时的再生信号的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上形成的光学相位凹坑上具有记录薄膜，从而光学地再生所述相位凹坑信号和所述记录薄膜两者的磁光记录介质，其至少由相位凹坑基板、第一电介质层、记录层、第二电介质层和反射层构成，其中，所述相位凹坑的形状被构造为5＜100×Ip/Im＜22，其中，Im和Ip分别是照射偏振方向水平于该介质的轨道方向的再生光时，在镜面上的反射电平以及最短标记的相位凹坑信号强度电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03819920.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
