[发明专利]用于CVD法的锆配位化合物和使用其制备薄膜的方法无效
| 申请号： | 03816304.7 | 申请日： | 2003-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1668776A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 依田孝次;田崎雄三 | 申请（专利权）人： | 工程吸气公司;株式会社丰岛制作所 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用液源CVD法的PZT薄膜制备中，用四[异丁酰基新戊酰基甲烷]锆作为锆前体，能够在较宽的基底温度范围内获得恒定组成比例的膜，并且不必在膜制备后再热处理。因此本发明提供了具有稳定质量的低成本PZT薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cvd 锆配位 化合物 使用 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.四[异丁酰基新戊酰基甲烷化]锆配位化合物，用于通过CVD法制备含Zr的薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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