[发明专利]用于至少具有两个不同电阻状态的存储器的读出放大器无效
| 申请号： | 03815344.0 | 申请日： | 2003-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1717741A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·J·纳哈斯;托马斯·W·安德烈;布雷德利·J·加尔尼;奇特拉·K·苏布拉马尼亚恩 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在存储器中(10)，读出系统(14)用一个数据(54)和两个参考(64，75)输入检测位状态，从而读出被选存储位单元(77)和中点参考电导之间的电导差。参考电导等于高电导状态存储单元(78)和低电导状态存储单元(79)的平均电导。数据输入(54)连接到被选存储位单元(77)。两个参考输入分别连接到高电导和低电导存储状态的存储单元。读出放大器使用电流偏置或电压偏置，在位单元上加载预定电压范围内的读出电压。通过本电路设计平衡连接到读出放大器互补输出的电容。在某种形式下，两个参考输入在内部相连。若干增益级(90，150，110，130)之一对读出放大器的输出进行放大而不会注入寄生误差。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 至少 具有 两个 不同 电阻 状态 存储器 读出 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种用于读出可编程为高状态或低状态的存储单元状态的读出放大器，包括：可编程为高状态的第一高参考存储单元；可编程为低状态的第一低参考存储单元；第一导电类型的第一晶体管，其第一电流电极连接到存储单元，控制电极接收偏置电压，第二电流电极提供输出信号；第二导电类型的第二晶体管，其第一电流电极连接到第一晶体管的第二电流电极，第二电流电极连接到第一电压端，还有一个控制电极；第一导电类型的第三晶体管，其第一电流电极连接到第一高参考存储单元，控制电极连接到第一晶体管的控制电极，还有第二电流电极；第二导电类型的第四晶体管，其第一电流电极连接到第三晶体管的第二电流电极，控制电极连接到第四晶体管的第一电流电极和第二晶体管的控制电极，第二电流电极连接到第一电压端；第一导电类型的第五晶体管，其第一电流电极连接到第一低参考存储单元，控制电极连接到第一晶体管的控制电极，第二电流电极提供参考输出信号；和第二导电类型的第六晶体管，其第一电流电极连接到第五晶体管的第二电流电极，控制电极直接连接到第六晶体管的第一电流电极和第四晶体管的控制电极，第二电流电极连接到第一电压端。
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