[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 03812720.2 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1659689A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 小川和人;稻泽刚一郎;林久贵;大岩德久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征是，在处理容器内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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