[发明专利]使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案有效
| 申请号： | 03811360.0 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1653388A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | R·塞恩克;G·埃伦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种使用光掩模使感光层形成图案的光掩模和方法，所述光掩模包括基板和耦合到基板上的薄膜。用相移辅助微细结构、低纵横比辅助微细结构或相移的低纵横比主微细结构蚀刻薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 相移 辅助 微细 结构 半导体 形成 图案 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，其特征在于，包括：主微细结构；以及辅助微细结构，它邻近于所述主微细结构，所述辅助微细结构相对于所述主微细结构相移。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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