[发明专利]开关装置无效
申请号: | 03810921.2 | 申请日: | 2003-06-20 |
公开(公告)号: | CN1653691A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 水野纮一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的开关装置(10)具有三个连接用端子(P1、P2、P3)和两个相同沟道型FET(111、121),两个FET的一对主端子的一个分别经直流阻止用电容性元件(Cb)连接到第一连接用端子,另一个连接到第二和第三连接用端子,将第一偏压电压(Vb1)提供给第一FET的栅极,将第二偏压电压(Vb2)提供给第二FET的一对主端子,通过两值的控制电压(Vc)提供给第一FET的一对主端子和第二FET的栅极,从而电切换连接第一连接用端子和第二或第三连接用端子。 | ||
搜索关键词: | 开关 装置 | ||
【主权项】:
1、一种开关装置,其特征在于,包括:第一、第二和第三连接用端子;第一FET,其中,分别经第一直流阻止用电容性元件将一对主端子的一个连接到所述第一连接用端子,将所述一对主端子的另一个连接到所述第二连接用端子;第二FET,其中,分别经第二直流阻止用电容性元件将一对主端子的一个连接到所述第一连接用端子,将所述一对主端子的另一个连接到所述第三连接用端子;所述第一FET的沟道型和所述第二FET的沟道型相同;向所述第一FET的栅极提供第一偏压电压;向所述第二FET的一对主端子提供第二偏压电压;且比从所述第一偏压电压减去包含所述第一FET的符号的栅极阈值电压的电压和将包含第二FET的符号的栅极阈值电压加到所述第二偏压电压的电压两者都低的电压,及比从所述第一偏压电压减去包含所述第一FET的符号的栅极阈值电压的电压和将包含第二FET的符号的栅极阈值电压加到所述第二偏压电压的电压两者都高的电压的其中之一作为第一控制电压,通过提供给所述第一FET的一对主端子和所述第二FET的栅极,而分别使所述第一FET和所述第二FET互补地分别导通和截断,从而切换第一连接状态和第二连接状态,其中,该第一连接状态是,电连接所述第一连接用端子和所述第二连接用端子,且电切断所述第一连接用端子和所述第三连接用端子;该第二连接状态是,电连接所述第一连接用端子和所述第三连接用端子,且电切断所述第一连接用端子和所述第二连接用端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03810921.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:橡皮擦送出容器
- 下一篇:用于内燃机的热电发电机