[发明专利]用于有过程差异补偿的有源偏置电路的电流断开电路无效
| 申请号: | 03808401.5 | 申请日: | 2003-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN1647006A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
| 发明(设计)人: | 约翰·A.·德福库 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;G05F3/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种用于产生预定水平偏置电流的集成电路偏置网络。一个晶体管产生对应于施加给所述场效应晶体管的预定输入栅-源电压的一定水平的偏置电流。提供了一个控制电路。控制电路连接到场效应晶体管并提供通过控制电流路径的电流以产生场效应晶体管输入电压。一个补偿电路连接到所述控制电路。所述补偿电路包括一个与场效应晶体管相同型号的补偿晶体管。该补偿电路控制补偿晶体管从所述控制路径转移电流,从而过程差异引起补偿晶体管分流一定大小的电流以向场效应晶体管提供输入电压使这个场效应晶体管能够产生所述预定水平的偏置电流。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 过程 差异 补偿 有源 偏置 电路 电流 断开 | ||
【主权项】:
1.一种用于产生预定水平偏置电流的偏置网络的集成电路,所述偏置网络包含:(A)一个具有栅、源和漏的场效应晶体管,所述晶体管产生对应于施加给所述晶体管的预定输入栅-源电压的一定水平的偏置电流;(B)一个连接到所述场效应晶体管并提供通过控制电流路径的电流以产生所述场效应晶体管的输入栅-源电压的控制电路;(C)一个连接到所述控制电路的补偿电路,所述补偿电路包括一个与场效应晶体管相同型号的补偿晶体管,其中所述补偿电路控制补偿晶体管用于改变来自所述控制路径的电流,从而使过程差异引起补偿晶体管分流一定大小的电流以向场效应晶体管提供输入栅-源电压,使这个场效应晶体管能够产生所述预定水平的偏置电流;以及(D)一个有第一和第二电极的晶体管开关,由馈给到所述晶体管开关的一个控制电极的开/关控制信号来控制在所述第一和第二电极之间的导电性,所述第一和第二电极之一连接到场效应晶体管的栅极,另一个连接到预定基准电势,在控制信号的“关”状态期间,所述晶体管开关以导通状态将场效应晶体管的栅极连接到所述基准电势,在“关”状态期间,所述基准电势使场效应晶体管变为非导通状态,在控制信号的“开”状态期间,所述晶体管开关以非导电状态分离场效应晶体管的栅极与所述基准电势,从而使场效应晶体管在所述“开”状态期间能够放大馈给到其栅极的信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体有限公司,未经快捷半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03808401.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





