[发明专利]生产工具中实现可重复蚀刻后临界尺寸的方法

摘要

提供一种加工半导体晶片的方法和装置，利用与光刻胶掩模临界尺寸和轮廓相关的前馈信息调整接收晶片的下一个工序(如光刻胶微调工序)，从而减少尺寸偏差。在加工步骤之后，测量加工形成的结构的尺寸，如加工形成的栅极的临界尺寸，且将该信息反馈到加工工具以调整下一晶片的加工，从而进一步减小尺寸偏差。通过在选择光刻胶微调方案时考虑光刻胶的临界尺寸和偏差，消除蚀刻前临界尺寸和轮廓对蚀刻后临界尺寸的影响。利用对蚀刻前临界尺寸的自动补偿，可获得分布非常密集的蚀刻后临界尺寸。在某些实施例中，临界尺寸和轮廓的测量、微调、蚀刻加工和蚀刻后清洁均在单一一个模块上、在受控环境下执行。模块执行的所有传送以及加工步骤均在洁净环境下完成，因此通过避免在各步骤间将晶片暴露在空气和可能的污染中提高产量。

主权项

1.一种加工半导体晶片的方法，包括：(a)测量在一图案层上的图案的临界尺寸和侧壁轮廓，该图案层形成于所述晶片的一底层上；(b)根据所述临界尺寸和轮廓的测量值，为将要对所述晶片进行的第一次加工选择第一组加工参数值；并且(c)利用所述第一组加工参数值，在一加工工具上对所述晶片进行所述第一次加工。