[发明专利]具有垂直磁场的安培头无效
| 申请号： | 03804529.X | 申请日： | 2003-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1639811A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | T·W·克林顿;J·D·哈奈;M·A·西格勒 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01F7/20 | 分类号： | H01F7/20;G11B5/012;G11B5/127;G11B5/17 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用来产生磁场的磁头(198)，其中第一和第二接触点(304，306)电耦合到一薄膜电线(302)上。电流经过电线(302)在两接触点之间通过，由之产生磁场。用一个聚焦机构把磁场聚焦，从而加大了磁场沿薄膜电线(302)记录边的磁通密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 磁场 安培 | ||
【主权项】：
1、一种产生磁场的磁设备，包括：一个第一电接触体，配置来耦合到电流源具有经调制的电流输出；一个第二电接触体配置来耦合到电流源一条薄膜电线耦合到第一电接头和第二电接头之间用来在它们之间传送调制电流并相应地沿薄膜记录边产生一个磁场；以及一个磁场聚焦机构配置来增加沿薄膜电线的记录边的磁场的磁通密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西加特技术有限责任公司，未经西加特技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03804529.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：导体组合物及其制造方法
- 下一篇：可调阀门组件
