[发明专利]制备用于应变SiCMOS应用中的高质量弛豫的绝缘体上SiGe的方法

摘要

提供一种制备薄、高质量、基本弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料(10)的方法，包括：首先在第一单晶Si层(14)的表面上形成SiGe或纯Ge层，所述第一单晶Si层存在于能阻止Ge扩散的阻挡层(12)上。可选地在SiGe或纯Ge层(16)上形成Si帽盖层(18)，此后，在允许Ge在整个第一单晶Si层(14)、可选的Si帽盖层(18)以及SiGe或纯Ge层(16)内相互扩散的温度下加热各层，由此在阻挡层(12)上形成基本弛豫的单晶SiGe层。在以上步骤之后进行附加SiGe的再生长和/或应变外延Si层的形成。这里还公开了绝缘体上SiGe衬底材料以及至少包括绝缘体上SiGe衬底材料的结构。

主权项

1.一种制备薄、高质量、基本弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料的方法，包括以下步骤：(a)在第一单晶Si层的表面上形成SiGe或纯Ge层，所述第一单晶Si层存在于能阻止Ge扩散的阻挡层上；以及(b)在允许Ge在整个所述第一单晶Si层和所述SiGe或纯Ge层内相互扩散的温度下加热所述层，由此在所述阻挡层上形成基本弛豫的单晶SiGe层。