[实用新型]薄膜半导体器件、电光装置及中间掩模

摘要

本实用新型提供在薄膜的图形化中，即便是具有该图形上相交部分，在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外，对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说，在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X)，该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角，形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。

主权项

1.一种薄膜半导体器件，是具备具有包括至少2个或2个以上的拐角部分的图形，由导电性材料构成的薄膜的薄膜半导体器件，其特征在于：上述拐角部分，包括其内角大于180度，而且，小于270度的第1拐角部分，和与该第1拐角部分相邻，同时，其内角大于90度，而且小于180度的第2拐角部分。