[实用新型]高功率的发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 03202126.7 申请日: 2003-01-09
公开(公告)号: CN2598151Y 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 周万顺 申请(专利权)人: 一诠精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈红;徐金国
地址: 暂无信息 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种高功率的发光二极管结构,其包括有散热柱及印刷电路板;其中该散热柱的上方固定有发光芯片,该印刷电路板设置在该发光芯片的外围,其上设置有数个导电片,可利于与该发光芯片打线、导通,而该散热柱是由导热良好的金属一体成型制成,因此加工方便,并且借由该散热柱可将该发光芯片所发出的热量快速排出,进而提高发光二极管的发光功率。
搜索关键词: 功率 发光二极管 结构
【主权项】:
1、一种高功率的发光二极管结构,其特征在于,该发光二极管包括:散热柱,由导热良好的金属一体成型制成,其具有圆柱状的本体以及由该本体中心向上延伸的凸柱,其中该凸柱中心的上方处延伸有凹穴,该凹穴供发光芯片固定;以及印刷电路板,呈一圆环状,其设置在该凸柱的上方并位于该凹穴的外围,该印刷电路板上设置有数个导电片,该导电片经由打线技术与该发光芯片的接垫相连接。
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