[发明专利]半导体激光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法，该半导体激光器件具有电流注入区(A)和比电流注入区(A)更靠近各激光束发射端面的电流非注入区(B)。半导体激光器件具有形成在每个电流非注入区(B)中p型(Al_pGa_1－p)_qIn_1－qP(0≤p≤1，0≤q≤1)中间带隙层(106)表面上的氧化层(106A)、形成在电流注入区(A)中中间带隙层(106)上的p型GaAs顶部覆盖层(107)、以及形成在氧化层(106A)和p型GaAs顶部覆盖层(107)上的p型GaAs接触层(125)。

主权项

1.一种半导体激光器件，其中n型(AleGa1-e)fIn1-fP(0≤e≤1，0≤f≤1)覆盖层、包括AlGaInP型材料的多个叠置层的有源层、p型(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)覆盖层、以及p型(AlpGa1-p)qIn1-qP(0≤p≤1，0≤q≤1)中间带隙层依此序叠置在衬底上，半导体激光器件具有电流注入区和电流非注入区，其中半导体激光器件还包括：形成在电流非注入区中p型(AlpGa1-p)qIn1-qP中间带隙层表面上的氧化层；形成在电流注入区中p型(AlpGa1-p)qIn1-qP中间带隙层上的p型AluGa1-uAs(0≤u≤1)顶部覆盖层；以及形成在氧化层和p型AluGa1-uAs顶部覆盖层上的p型AlvGa1-vAs(0≤v≤1)接触层。