[发明专利]半导体器件及其制造方法和装置无效
| 申请号： | 03164947.5 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1495852A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 伊藤光实;嶋田纯一;向井清士;辻川洋行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法和装置，其特征在于：可以增加去耦合电容器；可以有效吸收从电源产生的噪音；以及，可以实现电路的稳定工作。不管区域是否接近于电源线或地线，MOS分布在芯片的所有空区域上，并且通过利用引线层和扩散层连接到电源线和地线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种产生用于半导体器件的图案的方法，包括：布图形成步骤，根据半导体芯片的功能信息设计和布置功能元件的布图；空区域探测步骤，探测其中没有布图存在的空区域；判断步骤，判断其绝缘膜为栅极氧化膜的MOS电容器单元是否可以布置在空区域中；在判断可以布置MOS电容器单元的区域中布置MOS电容器单元的步骤；以及布线步骤，形成引线使得MOS电容器单元的栅极导体可以连接到第一电势而衬底可以连接到第二电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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