[发明专利]在集成电路的设计中使用的供电路径的结构无效
| 申请号： | 03158987.1 | 申请日： | 2003-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1495882A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 宇田研一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 依据一种对集成电路进行设计的方法，从VDD和VSS侧上的各自的供电路径的每一条主线上分叉出多条引出线，并且对多条引出线的相邻引出线之间的间距进行设置，从而使其彼此相等。优选的是，在供电路径的纵向上，一个供电路径上的多条引出线的分叉位置对应于另一供电路径的多条引出线上的分叉位置，或者对一个供电路径上的多条引出线的长度进行设置，从而使其长于另一供电路径的多条引出线上的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 设计 使用 供电 路径 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路设计中使用的供电路径的结构，其中，从高电位的供电侧和低电位的供电侧上的各自的供电路径上的每一条主线上分叉出多条引出线，并且对在多条分叉的引出线中的相邻引出线之间的间距进行设置，以使其彼此相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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