[发明专利]结绝缘有源组件的形成方法有效
| 申请号： | 03158566.3 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1599051A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王俊淇;苏俊联;吕文彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8234;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种结绝缘有源组件的形成方法。提供一半导体基底，其上具有多个预定的有源区，并且在任两个有源区之间具有至少一个预定的隔离区；形成第一栅极结构在有源区的部分基底上，并且形成第二栅极结构在隔离区的基底上；形成第一离子掺杂区在第一、第二栅极结构两侧的基底内；形成抗反射膜在基底与第一、第二栅极结构上；各向异性的去除部分抗反射膜而露出第二栅极结构；去除第二栅极结构而露出基底表面；形成第二离子掺杂区在隔离区的基底中；去除抗反射膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 有源 组件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结绝缘有源组件的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，该基底上具有多个预定的有源区，并且在任两个有源区之间具有至少一个预定的隔离区；形成第一栅极结构在所述有源区的部分所述基底上，并且形成第二栅极结构在所述隔离区的所述基底上；形成第一离子掺杂区在所述第一、第二栅极结构两侧的所述基底内；形成抗反射膜在该基底与所述第一、第二栅极结构上；各向异性的去除部分该抗反射膜而露出该第二栅极结构；去除该第二栅极结构而露出该基底表面；形成第二离子掺杂区在该隔离区的该基底中；以及去除该抗反射膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03158566.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：深过冷熔体制备块体纳米晶合金的方法
- 下一篇：胶带机跑偏自动控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
