[发明专利]形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器

摘要

本发明提供一种SRAM，其能够减小电路占用的总面积，并且能够改善PMOS晶体管的迁移率和操作特性。该SRAM形成在具有第一、第二有源区的S0I衬底上。第一存取NMOS晶体管和由第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管构成的第一反相器形成在SOI衬底的第一有源区上。第二存取NMOS晶体管和由第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管构成的第二反相器形成在SOI衬底的第二有源区上。在每个有源区中，存取NMOS晶体管的漏(或源)、驱动NMOS晶体管的漏和负载PMOS晶体管的漏在一共用区域彼此连接。该SRAM形成在SOI衬底上，因而最终的芯片尺寸得以减小。

主权项

1.一种SRAM，包括：第一和第二存取NMOS晶体管；第一驱动NMOS晶体管和第一负载PMOS晶体管，该些晶体管构成第一反相器，其根据第二存取NMOS晶体管的操作被有选择地驱动；以及第二驱动NMOS晶体管和第二负载PMOS晶体管，该些晶体管构成第二反相器，其根据第一存取NMOS晶体管的操作被有选择地驱动；其中，晶体管形成在SOI衬底的有源区上，并且有源区的形成有负载PMOS晶体管的部分延伸使得与有源区的形成有驱动NMOS晶体管的部分成一预定的角度。