[发明专利]超纯水中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法

摘要

本发明提供了一种超纯水中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法，应用于半导体制程中闸极氧化层或穿隧氧化层生成之前的清洗制程，其采用氢氧自由基在清洗液中以清除硅晶圆表面的污染物，该氢氧自由基被用来取代现有技术中以臭氧或过氧化氢清洗硅晶圆表面的方法，以较低的制程成本达到更佳的清洗晶圆表面的效果。

主权项

1.一种超纯水中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法，用于半导体制程中闸极氧化层或穿隧氧化层生成之前的清洗制程，该方法包括下列步骤：以第一液体去除在该晶圆表面的有机物及光阻；使用超纯水快速浸泡该晶圆；使用超纯水冲洗该晶圆；以稀释的氢氟酸去除该晶圆表面的自然氧化物；使用超纯水冲洗该晶圆；以第二液体去除在该晶圆表面的残留粒子；使用超纯水冲洗该晶圆；以第三液体去除在该晶圆表面的金属杂质；使用超纯水冲洗该晶圆；使用一超音波水冲洗该晶圆；以及使该晶圆干燥；其特征在于，该第一、第二及第三液体中至少一个具有氢氧自由基。