[发明专利]用于检测入射光的光检测器及方法有效
申请号: | 03150337.3 | 申请日: | 2003-07-25 |
公开(公告)号: | CN1503378A | 公开(公告)日: | 2004-06-09 |
发明(设计)人: | 格雷厄姆·麦克雷·弗劳尔 | 申请(专利权)人: | 安捷伦科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/10;H01L27/14;G01J1/00 |
代理公司: | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于检测入射光的光检测器和方法利用了一对光敏器件,在该一对光敏器件中,一个光敏器件被有选择地暴露于入射光来产生能被用来测量入射光强度的差分电流信号。该光敏器件可以是具有能够将诸如980nm或1300nm的波长较长的光转换为电流的硅锗(SiGe)吸收区的光电晶体管。该SiGe光电晶体管可以被制作在硅衬底上。 | ||
搜索关键词: | 用于 检测 入射 检测器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光检测器,包括:第一光电晶体管,包含锗,被配置成响应入射光产生输出电流信号;第二光电晶体管,与所述第一光电晶体管电耦合,所述第二光电晶体管被配置成产生参考电流信号;和不透明层(402),位于所述第二光电晶体管上方,来阻止所述入射光到所述第二光电晶体管,因而所述参考电流信号不受所述入射光影响,所述输出电流信号和所述参考电流信号提供对所述入射光的检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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