[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03148938.9 | 申请日： | 2003-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1469490A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 山本和彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/94;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其目的在于：在硅衬底上形成高介电栅极绝缘膜的时候，既能抑制该栅极绝缘膜中缺氧，又能防止硅衬底氧化。在硅衬底101上沉积锆金属膜105以后，再在锆金属膜105上沉积氧化铪膜106，最后在氧化铪膜106上形成将成为栅电极的氮化钛膜109。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其中：含有：具有由氧化锆膜和形成在所述氧化锆膜上且由锆以外的金属的氧化物制成的高介电膜构成的叠层结构的栅极绝缘膜。
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