[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03148711.4 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1471173A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 石塚典男;岩崎富生;太田裕之;三浦英生;高橋正人;鈴木範夫;池田修二;田中英樹;美馬宏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;联晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。
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