[发明专利]激光CVD设备与激光CVD方法无效
| 申请号： | 03147818.2 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1475599A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 森重幸雄;上田淳 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/48 | 分类号： | C23C16/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆弋;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将提供一种激光CVD设备，该设备能够加强由激光CVD形成的膜与基底的膜的形成面之间的粘连，并且防止膜本身的破裂。该设备包括：等离子预处理单元，其用于通过电弧放电将预处理气体变成等离子状态，并且将等离子状态的气体提供到膜的形成面；以及膜的形成单元，其具有用于密封膜合成气体而与外部大气隔离的装置，还具有用于将激光束辐射到膜合成气体的装置，其中在基底的膜的形成面的上面形成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 cvd 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光CVD设备，包括：等离子单元，其用于在大气中将预处理气体变成等离子状态并且将等离子气体提供到基底；用于将激光束辐射到基底上的淀积区域的装置；用于将膜合成气体提供到淀积区域的装置；和用于密封膜合成气体而与外部大气隔离的装置，其中，所述基底的淀积区域由所述等离子单元预处理，并且通过所述激光束激励膜合成气体，在所述基底的淀积区域上面形成膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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