[发明专利]电容式加速传感器有效
| 申请号： | 03147452.7 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1566962A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨健生 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种电容式加速传感器(capacitiveacceleration sensor，CAS)。该电容式加速传感器主要具有一非单晶硅基底，一具有一可动端(movable section)的多晶硅梁状(beam)结构，且在可动端部分设有一可动电极，一多晶硅支承构件(supporter)设于该非单晶硅基底上，用来固定梁状结构，使得梁状结构与该非单晶硅基底之间相隔一距离，一固定电极(stationary electrode)设于梁状结构的可动端下方的该非单晶硅基底上，且固定电极与可动电极构成一平板电容(platecapacitor)，以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路电连接于平板电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 加速 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种电容式加速传感器(capacitive acceleration sensor，CAS)，其包括：一非单晶硅基底；一多晶硅梁状(beam)结构，其具有一可动端(movable section)，且该可动端具有一可动电极；一多晶硅支承构件(supporter)设于该非单晶硅基底上，用来固定该梁状结构，使得该梁状结构与该非单晶硅基底之间相隔一距离；一固定电板(stationary electrode)设于该非单晶硅基底上，相对应于该梁状结构的该可动端，且该固定电极与该可动电极构成一平板电容(platecapacitor)；以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路设于该非单晶硅基底上，并电连接于该平板电容。
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