[发明专利]具有内建错误纠正能力的存储器元件

摘要

一种具有内建错误纠正(built－in error－correction)能力的半导体存储器元件，其中包括：一个包含复数个存储器单元(memory cells)之主阵列(primary array)；一个包含至少一个替换单元(replacement cell)的冗余阵列(redundancyarray)，用以替换上述主阵列的至少一个故障单元(defectivecell)，其中上述故障单元通过一控制信号来识别并且上述控制信号根据上述故障单元在不同时间的故障状态而改变；以及一个包括一可再程序逻辑阵列(reprogrammable logicarray)的开关电路(switching circuit)，其与上述主阵列及上述冗余阵列耦合以接收上述控制信号而将上述故障单元的单元信号(cell signal)切换成上述替换单元。

主权项

1.一种半导体存储器元件，其特征在于，该元件包括：一主阵列，包含复数个存储器单元，其中包括一第一故障单元及一第二故障单元；一冗余阵列，包含至少一个替换存储器单元，用以替换该主阵列的至少一个故障单元；以及一开关电路，与该主阵列及该冗余阵列耦合，用以接收一第一控制信号而将该第一故障单元之一单元信号切换成该替换单元，并且接收一第二控制信号而将该第二故障单元之一单元信号切换成该替换单元，其中该第一及该第二控制信号分别识别该第一及该第二故障单元，并且该第一及该第二控制信号根据该第一及该第二故障单元在不同时间之一故障状态而改变。