[发明专利]有源矩阵型有机发光二极管器件及其薄膜晶体管有效
| 申请号： | 03146362.2 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1477910A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 柳俊锡;朴宰用 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源矩阵型有机发光二极管器件及其薄膜晶体管。有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件具有彼此分开的第一和第二电极及设置在第一和第二电极之间的有机发光层，它的驱动薄膜晶体管包括一个衬底上的栅极，栅极上面的半导体层，以及半导体层上的源极和漏极，其中的源极和漏极彼此分开并分别与栅极有部分重叠，并且栅极与源极之间的重叠面积要大于栅极与漏极之间的重叠面积。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 有机 发光二极管 器件 及其 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有彼此分开的第一和第二电极及设置在第一和第二电极之间的有机发光层的有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的驱动薄膜晶体管，包括：一衬底上的栅极；栅极上面的半导体层；以及半导体层上的源极和漏极，其中的源极和漏极彼此分开并分别与栅极有部分重叠，并且栅极与源极之间的重叠面积要大于栅极与漏极之间的重叠面积。
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