[发明专利]具有屏蔽效应的存储器有效

专利信息
申请号: 03142445.7 申请日: 2003-06-12
公开(公告)号: CN1567480A 公开(公告)日: 2005-01-19
发明(设计)人: 李文杰;陈张庭 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C17/00 分类号: G11C17/00;G11C17/12;H01L21/8246
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森;黄小临
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有屏蔽效应的半导体存储器,至少包括多条字符线、接地线控制单元及多个存储单元。各存储单元包括主位线、接地线、第一等效开关及第二等效开关。主位线由一控制信号而致能。接地线与接地线控制单元电连接。第一等效开关与主位线及接地线连接,并受控于前一存储单元的控制信号。第二等效开关与主位线及后一存储单元的接地线连接,并受控于后一存储单元的控制信号。
搜索关键词: 具有 屏蔽 效应 存储器
【主权项】:
1.一种具有屏蔽效应的半导体存储器,至少包括:多条字符线,各该字符线平行排列;一接地线控制单元;以及多个存储单元,各该存储单元包括:一主位线,与这些字符线交错垂直排列,由一控制信号而致能;一接地线,与该接地线控制单元电连接,并与该主位线平行排列;一第一等效开关;及一第二等效开关;其中,这些存储单元中的该第n存储单元的该第一等效开关与该第n存储单元的该主位线及该第n存储单元的该接地线连接,并受控于该第(n-1)存储单元的该控制信号;其中,这些存储单元中的该第n存储单元的该第二等效开关与该第n存储单元的该主位线及该第(n+1)存储单元的该接地线连接,并受控于该第(n+1)存储单元的该控制信号;其中,n为正整数。
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