[发明专利]无场氧化绝缘架构闪存单元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种无场氧化绝缘架构闪存单元及其制造方法，其制造方法包括：提供一半导体基底并在此半导体基底上形成一第一介电层、一第一导电层及一罩幕层；蚀刻罩幕层以形成多个沿第一方向延伸的第一组件图案；形成多个被上述第一组件图案覆盖的第一组件；施行一第一离子植入程序在第一组件间的半导体基底内分别形成第一掺杂区以隔离上述第一组件；在第一组件间形成一第二介电层；去除第一组件上的罩幕层，露出其内第一导电层；形成多个沿第二方向延伸的字符线，并同时去除未被该字符线所覆盖的第一组件，构成多个被上述第一掺杂区隔离的存储单元；以及施行一第二离子植入程序，在上述存储单元的两侧形成多个源极/漏极区。

主权项

1、一种无场氧化绝缘架构闪存单元的制造方法，包括：提供一半导体基底；依序在该半导体基底上形成一第一介电层、一第一导电层及一罩幕层；在该罩幕层内形成多个沿第一方向延伸的第一组件图案；去除未被上述第一组件图案遮蔽的该第一介电层及第一导电层直至露出该半导体基底，形成多个经图案化的第一介电层及第一导电层所构成的第一组件；施行一第一离子植入程序，在上述第一组件间的半导体基底内分别形成多个第一掺杂区，以隔离上述各第一组件；在上述第一组件间形成一第二介电层；去除上述第一组件上的罩幕层，以露出上述第一导电层；形成多个沿第一方向延伸的第二导电层，分别覆盖于上述各第一导电层及部份上述第二介电层上；依序形成一第三介电层及一第三导电层，毯覆地覆盖于上述各第二介电层及第二导电层，并定义该第三介电层及该第三导电层以形成多个沿第二方向延伸的字符线，并同时去除未被上述字符线覆盖的部分上述第一组件，构成多个被上述第一掺杂区隔离的存储单元；以及施行一第二离子植入程序，在上述存储单元的两侧形成多个源极/漏极区。