[发明专利]每个存储单元具有多位的磁存储器件有效
| 申请号： | 03136378.4 | 申请日： | 2003-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1492443A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;M·沙马 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 数据存储器件(110)的存储单元(114)包括串联连接的第一和第二磁阻器件(10、20)。第一磁阻器件(10)具有第一和第二阻抗状态。第二磁阻器件(20)具有第三和第四阻抗状态。四种阻抗状态具有可检测的不同。 | ||
| 搜索关键词： | 每个 存储 单元 具有 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储器件(110)，包括：存储单元(114)的阵列(112)，每个存储单元(114)包括串联连接的第一和第二磁阻器件(10、20)，每个存储单元(114)的第一磁阻器件(10)具有第一和第二阻抗状态，每个存储单元(114)的第二磁阻器件(20)具有第三和第四阻抗状态，每个存储单元(114)的全部四种阻抗状态具有可检测的不同；第一导体(118)的列，每个第一导体(118)连接到第一磁阻器件(10)的列的数据层(12)；第二导体(120)的列，每个第二导体(120)连接到第二磁阻器件(20)的列的数据层(22)；以及第三导体(116)的行，每个第三导体(116)在第一和第二磁阻器件(10、20)的行的参考层(14a、14b)之间。
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