[发明专利]液晶显示装置及其制造方法无效
申请号: | 03121232.8 | 申请日: | 2003-03-28 |
公开(公告)号: | CN1450395A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 金哲世 | 申请(专利权)人: | LG.飞利浦LCD有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1343;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造LCD装置的方法,包括:在基板上形成具有互相交叉并限定像素区的选通线和数据线的薄膜晶体管阵列,薄膜晶体管设置在选通线和数据线交叉的位置上;在基板的整个表面上形成钝化层;在钝化层中形成接触孔并露出每个薄膜晶体管的漏极;在钝化层上形成非晶氧化铟锡膜;通过将光选择性地照射到非晶氧化铟锡薄膜上,选择性地结晶像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分;和通过选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分,形成像素电极。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造液晶显示器(LCD)装置的方法,包括:提供基板;在基板上形成薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列具有多个选通线和数据线,其中多个选通线和数据线互相交叉并限定多个像素区;在基板上形成多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管包括漏极;在基板的整个表面上形成钝化层;在多个薄膜晶体管的漏极上的钝化层中形成接触孔;在钝化层上形成非晶氧化铟锡膜;选择性地结晶形成在像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分;和相对于非晶氧化铟锡膜的结晶部分,选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG.飞利浦LCD有限公司,未经LG.飞利浦LCD有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03121232.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。