[发明专利]光学开关元件及其制造方法有效
| 申请号： | 03120500.3 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1445571A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 奥田章二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用化学气相沉积方法(CVD方法)形成下包层、核心和上包层。至少调整氮氧化硅的氧的添加量，氮的添加量和硅的添加量之一，以便核心具有高于包层的所需折射率。此外，形成终点检测器，在刻模形成核心的过程中，所述终点检测器变成干蚀刻的蚀刻限位器。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 开关 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光学开关元件，包括：在半导体基底上形成的包层；和被所述包层覆盖，并且使之具有比所述包层高的折射率从而形成光路的核心，其中所述核心由氮氧化硅形成，并且通过调整氧的增添量，氮的增添量和硅的增添量中至少之一，控制所述核心具有所需的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03120500.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
