[发明专利]纳米碳基薄膜场发射压力传感器无效

专利信息
申请号: 03114812.3 申请日: 2003-01-09
公开(公告)号: CN1424565A 公开(公告)日: 2003-06-18
发明(设计)人: 蔡炳初;孙卓;徐东;郭平生 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;H01L49/00
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟
地址: 200030*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种纳米碳基薄膜场发射压力传感器属于微细加工和传感器技术领域。主要包括:电子发射阴极、阳极、绝缘隔离层、发射腔体、电极引线。电子发射阴极材料采用纳米碳基薄膜,电子发射阴极和阳极通过绝缘隔离层相连,在高真空环境下进行键合封装,在电子发射阴极和阳极之间形成场发射腔体,电极引线分别从电子发射阴极和阳极背面引出。本发明由碳基纳米薄膜作为电子发射阴极构成的压力传感器,不仅具有高灵敏性、耐高温、抗辐射、低功耗的优点,而且整个压力传感器的整体结构和制备工艺简化,成本降低,成品率提高。
搜索关键词: 纳米 薄膜 发射 压力传感器
【主权项】:
1、一种纳米碳基薄膜场发射压力传感器,主要包括:电子发射阴极(1)、阳极(2)、绝缘隔离层(3)、发射腔体(4)以及电极引线(5),其特征在于:电子发射阴极(1)材料采用纳米碳基薄膜,电子发射阴极(1)和阳极(2)通过绝缘隔离层(3)相连,在高真空环境下进行键合封装,在电子发射阴极(1)和阳极(2)之间形成场发射腔体(4),电极引线(5)分别从电子发射阴极(1)和阳极(2)背面引出。
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